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IRL2505STRL

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IRL2505STRLPBF 优势库存
IR
TO-263(D2PAK)
2023+
8350
全新原厂原装现货
IRL2505STRLPBF
Infineon Techn..
D2PAK
2023+
2659
全新原装进口现货品质保证
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IRL2505STRL
Infineon Techn..
D2PAK
2023+
500
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IRL2505STRLPBF
InternationalR..
TO-263-3,Dsu..
2023+
3000
全新进口原装现货品质保证
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IRL2505STRL
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TO-263-3,Dsu..
2023+
1250
全新进口原装现货品质保证
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IRL2505STRL
InternationalR..
Dsup2Pak，TO-..
2023+
6000
品质保证,价格优惠
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IRL2505STRL94-2184
IR
TO-263
2023+
17278
全新进口原装现货,保证质量
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联系人：李先生
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IRL2505STRLPBF
IR
2023+
19678
工厂配单，价格优势
深圳市跃创科技有限公司 VIP现货会员
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IRL2505STRL
IR
D2-Pak
2023+
4957
工厂配单，价格优势
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联系人：销售部
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IRL2505STRLPBF
IR
D-PAK-3
2023+
26000
晶体管
IRL2505STRLPBF
IR
进口原装 库房现货
2023+
5600
相关型号： IRL2505SPBF IRL2505S IRL2505PBF IRL2505L IRL2203STRR IRL2203STRL

IRL2505STRL
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IRL2505STRL参数：MOSFET N-CH 55V 104A D2PAK

类别：分立半导体产品-FET - 单
设计资源： IRL2505SSaberModel IRL2505SSpiceModel
标准包装：800
系列：HEXFET®
包装：带卷(TR)
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)：55V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：104A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：8毫欧@54A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：2V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：130nC@5V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：5000pF@25V
功率-最大值：3.8W
安装类型：表面贴装
封装：TO-263-3，D²Pak（2引线+接片），TO-263AB
供应商器件封装：D2PAK

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