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IRL3705ZS

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IRL3705ZSTRLPBF 优势库存
IR
TO-263(D2PAK)
2023+
8350
全新原厂原装现货
IRL3705ZSTRL
Infineon Techn..
D2PAK
2023+
500
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IRL3705ZSPBF
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IRL3705ZS
IR
TO-220
2023+
22557
原装现货价格优势
IRL3705ZSTRLPBF
InternationalR..
TO-263-3,Dsu..
2023+
16150
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IRL3705ZSPBF
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2023+
1250
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IRL3705ZS
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2023+
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IRL3705ZS
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Dsup2Pak，TO-..
2023+
6000
品质保证,价格优惠
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IRL3705ZSPBF
IR
2023+
1778
工厂配单，价格优势
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联系人：销售部
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IRL3705ZSTRLPBF
INTERNATIONAL ..
原厂标准封装
2023+
528
原装进口 优势现货 价格最..
IRL3705ZSPBF
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D-PAK-3
2023+
26000
晶体管
IRL3705ZSTRLPBF
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D-PAK-3
2023+
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晶体管
IRL3705ZSTRLPBF
IR
进口原装 库房现货
2023+
5600
IRL3705ZSTRL
IR
进口原装 库房现货
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IRL3705ZSPBF
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进口原装 库房现货
2023+
5600
相关型号： IRL3705ZPBF IRL3705ZLPBF IRL3705ZL IRL3705Z IRL3705NSTRR IRL3705NSTRLPBF

IRL3705ZS
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IRL3705ZS参数：MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK

类别：分立半导体产品-FET - 单
设计资源： IRL3705ZLSaberModel IRL3705ZLSpiceModel
标准包装：50
系列：HEXFET®
包装：管件
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)：55V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：75A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：8毫欧@52A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：3V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：60nC@5V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：2880pF@25V
功率-最大值：130W
安装类型：表面贴装
封装：TO-263-3，D²Pak（2引线+接片），TO-263AB
供应商器件封装：D2PAK

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