IRL5602S参数：MOSFET P-CH 20V 24A D2PAK
类别：分立半导体产品-FET - 单设计资源： IRL5602SSaberModel IRL5602SSpiceModel标准包装：50系列：HEXFET®包装：管件FET类型：MOSFETP通道，金属氧化物FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：20V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：24A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：42毫欧@12A，4.5V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：1V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：44nC@4.5V不同Vds时的输入电容(Ciss)：1460pF@15V功率-最大值：75W安装类型：表面贴装封装：TO-263-3，D²Pak（2引线+接片），TO-263AB供应商器件封装：D2PAK
