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IRL7833S

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IRL7833STRLPBF 优势库存
IR
TO-263(D2PAK)
2023+
8350
全新原厂原装现货
IRL7833S 优势库存
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TO-263
2023+
1069
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IRL7833STRRPBF
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D2PAK
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IRL7833SPBF
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IRL7833S
IR
D2-PAK-Lead-
2023+
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原装现货,特价
IRL7833SPBF
InternationalR..
TO-263-3,Dsu..
2023+
1250
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IRL7833S
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IRL7833STRR
InternationalR..
Dsup2Pak，TO-..
2023+
6000
品质保证,价格优惠
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IRL7833S
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IRL7833SPBF
IR
SOT263
2023+
163
工厂配单，价格优势
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IRL7833STRR
IOR
SOT263
2023+
2754
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IRL7833STRRPBF
INTERNATIONAL ..
原厂原包装
2023+
27092
全新原装现货，价格优惠
IRL7833S
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TO-263
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7467
全新原装现货，价格优惠
IRL7833STRLPBF
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原厂原包装
2023+
27091
全新原装现货，价格优惠
IRL7833SPBF
NO MFR
原厂原包装
2023+
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全新原装现货，价格优惠
IRL7833SPBF
IR
D-PAK-3
2023+
26000
晶体管
IRL7833STRLPBF
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D-PAK-3
2023+
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晶体管
IRL7833STRRPBF
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进口原装 库房现货
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5600
IRL7833STRL
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进口原装 库房现货
2023+
5600
IRL7833STRLPBF
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进口原装 库房现货
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IRL7833SPBF
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进口原装 库房现货
2023+
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相关型号： IRL7833PBF IRL7833LPBF IRL640STRRPBF IRL640STRR IRL640STRLPBF IRL640STRL

IRL7833S
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IRL7833S参数：MOSFET N-CH 30V 150A D2PAK

类别：分立半导体产品-FET - 单
设计资源： IRL7833LPBFSaberModel IRL7833LPBFSpiceModel
标准包装：50
系列：HEXFET®
包装：管件
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)：30V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：150A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：3.8毫欧@38A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：2.3V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：47nC@4.5V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：4170pF@15V
功率-最大值：140W
安装类型：表面贴装
封装：TO-263-3，D²Pak（2引线+接片），TO-263AB
供应商器件封装：D2PAK

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