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IRL8113PBF

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相关型号： IRL8113LPBF IRL8113L IRL8113 IRL7833STRRPBF IRL7833STRLPBF IRL7833SPBF

IRL8113PBF
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IRL8113PBF参数：MOSFET N-CH 30V 105A TO-220AB

类别：分立半导体产品-FET - 单
产品培训模块： HighVoltageIntegratedCircuits(HVICGateDrivers)
设计资源： IRL8113LSaberModel IRL8113LSpiceModel
标准包装：50
系列：HEXFET®
包装：管件
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)：30V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：105A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：6毫欧@21A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：2.25V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：35nC@4.5V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：2840pF@15V
功率-最大值：110W
安装类型：通孔
封装：TO-220-3
供应商器件封装：TO-220AB

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