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IRLB3036

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相关型号： IRLB3034PBF IRL8113STRRPBF IRL8113STRR IRL8113STRLPBF IRL8113STRL IRL8113SPBF

IRLB3036GPBF
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IRLB3036GPBF参数：MOSFET N-CH 60V 195A TO-220AB

类别：分立半导体产品-FET - 单
产品培训模块： HighVoltageIntegratedCircuits(HVICGateDrivers)
标准包装：50
系列：HEXFET®
包装：管件
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)：60V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：195A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：2.4毫欧@165A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：2.5V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：140nC@4.5V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：11210pF@50V
功率-最大值：380W
安装类型：通孔
封装：TO-220-3
供应商器件封装：TO-220AB

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