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IRLD120

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IRLD120
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IRLD120参数：MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-DIP

类别：分立半导体产品-FET - 单
标准包装：2,500
系列：-
包装：管件
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)：100V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：1.3A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：270 毫欧 @ 780mA，5V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：12nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：490pF @ 25V
功率 - 最大值：1.3W
安装类型：通孔
封装：4-DIP（0.300"，7.62mm）
供应商器件封装：4-DIP，Hexdip，HVMDIP

IRLD120

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