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IRLIB4343

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IRLIB4343
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IRLIB4343参数：MOSFET N-CH 55V 19A TO220FP

类别：分立半导体产品-FET - 单
设计资源： IRLIB4343SaberModel IRLIB4343SpiceModel
标准包装：50
系列：HEXFET®
包装：管件
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)：55V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：19A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：50毫欧@4.7A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：1V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：42nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：740pF@50V
功率-最大值：39W
安装类型：通孔
封装：TO-220-3整包
供应商器件封装：TO-220AB整包

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