IRLL110参数：MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223
类别：分立半导体产品-FET - 单产品目录绘图： IR(F,L)LSeriesTop IR(F,L)LSeriesSide标准包装：4,000系列：-包装：管件FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：100V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：1.5A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：540毫欧@900mA，5V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：2V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：6.1nC@5V不同Vds时的输入电容(Ciss)：250pF@25V功率-最大值：2W安装类型：表面贴装封装：TO-261-4，TO-261AA供应商器件封装：SOT-223