IRLL2703参数：MOSFET N-CH 30V 3.9A SOT223
类别：分立半导体产品-FET - 单标准包装：80系列：HEXFET®包装：管件FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物FET 功能：逻辑电平门漏源极电压 (Vdss)：30V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：3.9A不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：45 毫欧 @ 3.9A，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.4V @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：14nC @ 5V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：530pF @ 25V功率 - 最大值：1W安装类型：表面贴装封装：TO-261-4，TO-261AA供应商器件封装：SOT-223
