IRLML2060TRPBF参数：MOSFET N-CH 60V 1.2A SOT23-3
类别：分立半导体产品-FET - 单产品培训模块： HighVoltageIntegratedCircuits(HVICGateDrivers)设计资源： IRLML2060TRPBFSaberModel IRLML2060TRPBFSpiceModel标准包装：3,000系列：HEXFET®包装：带卷(TR)FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：60V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：1.2A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：480毫欧@1.2A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：2.5V@25µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：0.67nC@4.5V不同Vds时的输入电容(Ciss)：64pF@25V功率-最大值：1.25W安装类型：表面贴装封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3供应商器件封装：Micro3?/SOT-23
