IRLML2502GTRPBF参数：MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT-23-3
类别：分立半导体产品-FET - 单产品培训模块： HighVoltageIntegratedCircuits(HVICGateDrivers)标准包装：3,000系列：HEXFET®包装：带卷(TR)FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：20V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：4.2A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：45毫欧@4.2A，4.5V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：1.2V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：12nC@5V不同Vds时的输入电容(Ciss)：740pF@15V功率-最大值：1.25W安装类型：表面贴装封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3供应商器件封装：Micro3?/SOT-23
