IRLML2803GTRPBF参数：MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT-23-3
类别：分立半导体产品-FET - 单产品培训模块： HighVoltageIntegratedCircuits(HVICGateDrivers)标准包装：3,000系列：HEXFET®包装：带卷(TR)FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：30V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：1.2A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：250毫欧@910mA，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：1V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：5nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss)：85pF@25V功率-最大值：540mW安装类型：表面贴装封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3供应商器件封装：Micro3?/SOT-23
