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IRLML6302TRPBF

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IRLML6302TRPBF
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IRLML6302TRPBF参数：MOSFET P-CH 20V 780MA SOT-23

类别：分立半导体产品-FET - 单
产品培训模块： HighVoltageIntegratedCircuits(HVICGateDrivers)
设计资源： IRLML6302TRSaberModel IRLML6302TRSpiceModel
标准包装：3,000
系列：HEXFET®
包装：带卷(TR)
FET类型：MOSFETP通道，金属氧化物
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)：20V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：780mA
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：600毫欧@610mA，4.5V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：1.5V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：3.6nC@4.45V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：97pF@15V
功率-最大值：540mW
安装类型：表面贴装
封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：Micro3?/SOT-23

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