IRLMS1503TR参数：MOSFET N-CH 30V 3.2A 6-TSOP
类别：分立半导体产品-FET - 单设计资源： IRLMS1503TRSaberModel IRLMS1503TRSpiceModel标准包装：1系列：HEXFET®包装：剪切带(CT)FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：30V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：3.2A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：100毫欧@2.2A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：1V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：9.6nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss)：210pF@25V功率-最大值：1.7W安装类型：表面贴装封装：6-LSOP（0.063"，1.60mm宽）供应商器件封装：Micro6?（TSOP-6）
