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IRLR3103TRR

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IRLR3103TRR 优势库存
IR
TO252
2023+
6034
原装现货，价格优势
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IRLR3103TRRPBF
Infineon Techn..
D-Pak
2023+
500
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IRLR3103TRR
IR
TO-252
2023+
39357
原装现货,特价
IRLR3103TRRPBF
InternationalR..
TO-252-3,DPa..
2023+
1250
全新进口原装现货品质保证
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IRLR3103TRR
InternationalR..
TO-252-3,DPa..
2023+
1250
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IRLR3103TRR
InternationalR..
DPak,SC-63,T..
2023+
6000
品质保证,价格优惠
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IRLR3103TRRTBF
IR
TO-252
2023+
3778
工厂配单，价格优势
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TO-252(D-PAK)
2023+
5057
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进口原装 库房现货
2023+
5600
相关型号： IRLR3103TRPBF IRLR3103TRLPBF IRLR3103TRL IRLR3103TR IRLR3103PBF IRLR3103

IRLR3103TRR
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IRLR3103TRR参数：MOSFET N-CH 30V 55A DPAK

类别：分立半导体产品-FET - 单
设计资源： IRLR3103SaberModel IRLR3103SpiceModel
标准包装：3,000
系列：HEXFET®
包装：带卷(TR)
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)：30V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：55A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：19毫欧@33A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：1V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：50nC@4.5V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：1600pF@25V
功率-最大值：107W
安装类型：表面贴装
封装：TO-252-3，DPak（2引线+接片），SC-63
供应商器件封装：D-Pak

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