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IRLR3636

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IRLR3636PBF参数：MOSFET N-CH 60V 50A D-PAK

类别：分立半导体产品-FET - 单
产品培训模块： HighVoltageIntegratedCircuits(HVICGateDrivers)
设计资源： IRLR3636PBFSaberModel IRLR3636PBFSpiceModel
标准包装：75
系列：HEXFET®
包装：管件
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)：60V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：50A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：6.8毫欧@50A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：2.5V@100µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：49nC@4.5V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：3779pF@50V
功率-最大值：143W
安装类型：表面贴装
封装：TO-252-3，DPak（2引线+接片），SC-63
供应商器件封装：D-Pak

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