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IRLR3714TR

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相关型号： IRLR3714PBF IRLR3714 IRLR3705ZTRPBF IRLR3705ZPBF IRLR3705Z IRLR3636TRPBF

IRLR3714TRL
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IRLR3714TRL参数：MOSFET N-CH 20V 36A DPAK

类别：分立半导体产品-FET - 单
标准包装：3,000
系列：HEXFET®
包装：带卷 (TR)
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)：20V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：36A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：20 毫欧 @ 18A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：9.7nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：670pF @ 10V
功率 - 最大值：47W
安装类型：表面贴装
封装：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商器件封装：D-Pak

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