IRLR3802PBF参数：MOSFET N-CH 12V 84A DPAK
类别：分立半导体产品-FET - 单产品培训模块： HighVoltageIntegratedCircuits(HVICGateDrivers)设计资源： IRLR3802PBFSaberModel IRLR3802PBFSpiceModel标准包装：75系列：HEXFET®包装：管件FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：12V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：84A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：8.5毫欧@15A，4.5V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：1.9V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：41nC@5V不同Vds时的输入电容(Ciss)：2490pF@6V功率-最大值：88W安装类型：表面贴装封装：TO-252-3，DPak（2引线+接片），SC-63供应商器件封装：D-Pak
