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IRLR8503PBF

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IRLR8503PBF
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IRLR8503PBF参数：MOSFET N-CH 30V 44A DPAK

类别：分立半导体产品-FET - 单
设计资源： IRLR8503SaberModel IRLR8503SpiceModel
标准包装：75
系列：HEXFET®
包装：管件
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)：30V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：44A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：16毫欧@15A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：3V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：20nC@5V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：1650pF@25V
功率-最大值：62W
安装类型：表面贴装
封装：TO-252-3，DPak（2引线+接片），SC-63
供应商器件封装：D-Pak

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