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IRLU120

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IRLU120NPBF
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IRLU120NPBF参数：MOSFET N-CH 100V 10A I-PAK

类别：分立半导体产品-FET - 单
产品培训模块： HighVoltageIntegratedCircuits(HVICGateDrivers)
设计资源： IRLU120NPBFSaberModel IRLU120NPBFSpiceModel
标准包装：75
系列：HEXFET®
包装：管件
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)：100V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：10A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：185毫欧@6A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：2V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：20nC@5V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：440pF@25V
功率-最大值：48W
安装类型：通孔
封装：TO-251-3长引线，IPak，TO-251AB
供应商器件封装：I-Pak

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