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IRLU3303

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IRLU3303 优势库存
IR
TO251
2023+
723
原装现货，价格优势
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IRLU3303
Infineon Techn..
I-PAK
2023+
500
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IRLU3303PBF
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2023+
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IRLU3303
IR
TO-251
2023+
11278
全新进口原装现货,保证质量
IRLU3303PBF
InternationalR..
TO-251-3，IPa..
2023+
1250
全新进口原装现货品质保证
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IRLU3303
InternationalR..
TO-251-3，IPa..
2023+
1250
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IRLU3303
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IPak,TO-251,..
2023+
6000
品质保证,价格优惠
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IRLU3303PBF
IR
IPAK-3
2023+
26000
晶体管
IRLU3303PBF
IR
进口原装 库房现货
2023+
5600
IRLU3303
IR
TO-251
2023+
14999
原装现货，假一赔十
相关型号： IRLU3114ZPBF IRLU3110ZPBF IRLU3103PBF IRLU3103 IRLU2905ZPBF IRLU2905Z

IRLU3303
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IRLU3303参数：MOSFET N-CH 30V 35A I-PAK

类别：分立半导体产品-FET - 单
设计资源： IRLR3303SaberModel IRLR3303SpiceModel
标准包装：75
系列：HEXFET®
包装：管件
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)：30V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：35A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：31毫欧@21A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：1V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：26nC@4.5V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：870pF@25V
功率-最大值：68W
安装类型：通孔
封装：TO-251-3长引线，IPak，TO-251AB
供应商器件封装：I-Pak

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