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IXBH9N160

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相关型号： IXBH6N170 IXBH5N160G IXBH42N170A IXBH42N170 IXBH40N160 IXBH32N300

IXBH9N160G
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IXBH9N160G参数：IGBT 1600V 9A 100W TO247AD

类别：分立半导体产品-IGBT - 单路
标准包装：30
系列：BIMOSFET™
包装：管件
IGBT 类型：-
电压 - 集射极击穿（最大值）：1600V
不同?Vge、Ic 时的?Vce(on)：7V @ 15V，5A
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：9A
Current - Collector Pulsed (Icm)：10A
功率 - 最大值：100W
Switching Energy：-
输入类型：标准
Gate Charge：34nC（最小）
Td (on/off) A 25°C：-
Test Condition：-
反向恢复时间 (trr)：-
封装：TO-247-3
安装类型：通孔
供应商器件封装：TO-247AD

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