IXBN75N170参数：IGBT BIMOSFET 1700V 145A SOT227B
类别：半导体模块-IGBT标准包装：10系列：BIMOSFET™IGBT 类型：-配置：单一电压 - 集射极击穿（最大值）：1700V不同?Vge、Ic 时的?Vce(on)：3.1V @ 15V，75A电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：145A电流 - 集电极截止（最大值）：25µA不同?Vce 时的输入电容 (Cies)：6.93nF @ 25V功率 - 最大值：625W输入：标准NTC 热敏电阻：无安装类型：底座安装封装：SOT-227-4，miniBLOC供应商器件封装：SOT-227B
