IXDN55N120D1参数：IGBT 1200V 100A W/DIODE SOT-227B
类别：半导体模块-IGBT标准包装：10系列：-IGBT 类型：NPT配置：单一电压 - 集射极击穿（最大值）：1200V不同?Vge、Ic 时的?Vce(on)：2.8V @ 15V，55A电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100A电流 - 集电极截止（最大值）：3.8mA不同?Vce 时的输入电容 (Cies)：3.3nF @ 25V功率 - 最大值：450W输入：标准NTC 热敏电阻：无安装类型：底座安装封装：SOT-227-4，miniBLOC供应商器件封装：SOT-227B
