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IXDN75N120

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IXDN75N120
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IXDN75N120参数：IGBT 1200V 150A SOT-227B

类别：半导体模块-IGBT
标准包装：10
系列：-
IGBT 类型：NPT
配置：单一
电压 - 集射极击穿（最大值）：1200V
不同?Vge、Ic 时的?Vce(on)：2.7V @ 15V，75A
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：150A
电流 - 集电极截止（最大值）：4mA
不同?Vce 时的输入电容 (Cies)：5.5nF @ 25V
功率 - 最大值：660W
输入：标准
NTC 热敏电阻：无
安装类型：底座安装
封装：SOT-227-4，miniBLOC
供应商器件封装：SOT-227B

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