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IXDR30N120

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相关型号： IXDP631PI IXDP630PI IXDP610PI IXDP35N60B IXDP20N60BD1 IXDP20N60B

IXDR30N120
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IXDR30N120参数：IGBT 1200V 50A W/DIO ISOPLUS247

类别：分立半导体产品-IGBT - 单路
标准包装：30
系列：-
包装：管件
IGBT 类型：NPT
电压 - 集射极击穿（最大值）：1200V
不同?Vge、Ic 时的?Vce(on)：2.9V @ 15V，30A
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：50A
Current - Collector Pulsed (Icm)：60A
功率 - 最大值：200W
Switching Energy：-
输入类型：标准
Gate Charge：120nC
Td (on/off) A 25°C：-
Test Condition：-
反向恢复时间 (trr)：-
封装：ISOPLUS247?
安装类型：通孔
供应商器件封装：ISOPLUS247?

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