IXFA3N120

IXFA3N120
PDF资料下载

IXFA3N120参数：MOSFET N-CH 1200V 3A TO-263

类别：分立半导体产品-FET - 单
标准包装：50
系列：HiPerFET™
包装：管件
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：标准
漏源极电压 (Vdss)：1200V（1.2kV）
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：3A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：4.5 欧姆 @ 1.5A, 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：5V @ 1.5mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：39nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1050pF @ 25V
功率 - 最大值：200W
安装类型：表面贴装
封装：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
供应商器件封装：TO-263（D2Pak）