IXFB50N80Q2

IXFB50N80Q2
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IXFB50N80Q2参数：MOSFET N-CH 800V 50A PLUS264

类别：分立半导体产品-FET - 单
标准包装：25
系列：HiPerFET™
包装：管件
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：标准
漏源极电压 (Vdss)：800V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：50A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：160 毫欧 @ 500mA，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：5.5V @ 8mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：260nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：7200pF @ 25V
功率 - 最大值：890W
安装类型：通孔
封装：TO-264-3，TO-264AA
供应商器件封装：PLUS264?