IXFH13N50参数：MOSFET N-CH 500V 13A TO-247AD
类别：分立半导体产品-FET - 单PCNObsolescence： IXFH13N5014/Nov/2012标准包装：30系列：HiPerFET™包装：管件FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：标准漏源极电压(Vdss)：500V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：13A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：400毫欧@6.5A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：4V@2.5mA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：120nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss)：2800pF@25V功率-最大值：180W安装类型：通孔封装：TO-247-3供应商器件封装：TO-247AD
