IXFH18N100Q3参数：MOSFET N-CH 1000V 18A TO-247
类别：分立半导体产品-FET - 单特色产品： Q3-ClassHiPerFET?PowerMOSFETs标准包装：30系列：HiPerFET™包装：管件FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：标准漏源极电压(Vdss)：1000V（1kV）电流-连续漏极(Id)（25°C时）：18A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：660毫欧@9A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：6.5V@4mA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：90nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss)：4890pF@25V功率-最大值：830W安装类型：通孔封装：TO-247-3供应商器件封装：TO-247
