IXFN260N17T

IXFN260N17T
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IXFN260N17T参数：MOSFET N-CH 245A 170V SOT-227

类别：半导体模块-FET
PCNObsolescence： 170V/180VMosfet27/Sept/2012
标准包装：10
系列：GigaMOS™
包装：管件
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：标准
漏源极电压(Vdss)：170V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：245A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：6.5毫欧@60A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：5V@8mA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：400nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：24000pF@25V
功率-最大值：1090W
安装类型：底座安装
封装：SOT-227-4，miniBLOC
供应商器件封装：SOT-227B