IXFN56N90P参数：MOSFET N-CH SOT-227B
类别：半导体模块-FET特色产品： 900VPolarHiPerFET?PowerMOSFETs标准包装：10系列：Polar™包装：管件FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：标准漏源极电压(Vdss)：900V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：56A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：135毫欧@28A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：6.5V@3mA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：375nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss)：23000pF@25V功率-最大值：1000W安装类型：底座安装封装：SOT-227-4，miniBLOC供应商器件封装：SOT-227B
