IXFN66N50Q2

IXFN66N50Q2
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IXFN66N50Q2参数：MOSFET N-CH 500V 66A SOT-227B

类别：半导体模块-FET
PCNObsolescence： IXF(K,N,R,X)66N50Q211/Oct/2011
标准包装：10
系列：HiPerFET™
包装：管件
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：标准
漏源极电压(Vdss)：500V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：66A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：80毫欧@500mA，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：4.5V@8mA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：199nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：6800pF@25V
功率-最大值：735W
安装类型：底座安装
封装：SOT-227-4，miniBLOC
供应商器件封装：SOT-227B