IXGP50N33TBM-A参数:IGBT 330V 30A TO-220AB
类别:分立半导体产品-IGBT - 单路标准包装:50系列:-包装:管件IGBT 类型:沟道电压 - 集射极击穿(最大值):330V不同?Vge、Ic 时的?Vce(on):1.6V @ 15V,25A电流 - 集电极 (Ic)(最大值):30ACurrent - Collector Pulsed (Icm):200A功率 - 最大值:50WSwitching Energy:-输入类型:标准Gate Charge:42nCTd (on/off) A 25°C:14ns/53nsTest Condition:240V,25A,15 欧姆,15V反向恢复时间 (trr):-封装:TO-220-3安装类型:通孔供应商器件封装:TO-220AB