IXGT12N120A2D1参数：IGBT NPT 1200V FRD TO-268
类别：分立半导体产品-IGBT - 单路标准包装：30系列：-包装：管件IGBT 类型：-电压 - 集射极击穿（最大值）：1200V不同?Vge、Ic 时的?Vce(on)：-电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：-Current - Collector Pulsed (Icm)：-功率 - 最大值：-Switching Energy：-输入类型：标准Gate Charge：-Td (on/off) A 25°C：-Test Condition：-反向恢复时间 (trr)：-封装：TO-268-3，D³Pak（2 引线+接片），TO-268AA安装类型：表面贴装供应商器件封装：TO-268
