IXGT20N100参数：IGBT 1000V 40A TO-268
类别：分立半导体产品-IGBT - 单路标准包装：30系列：-包装：管件IGBT 类型：PT电压 - 集射极击穿（最大值）：1000V不同?Vge、Ic 时的?Vce(on)：3V @ 15V，20A电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：40ACurrent - Collector Pulsed (Icm)：80A功率 - 最大值：150WSwitching Energy：3.5mJ（关）输入类型：标准Gate Charge：73nCTd (on/off) A 25°C：30ns/350nsTest Condition：-反向恢复时间 (trr)：-封装：TO-268-3，D³Pak（2 引线+接片），TO-268AA安装类型：表面贴装供应商器件封装：TO-268
