IXGT32N120A3参数:IGBT PT 1200V 75A TO-268
类别:分立半导体产品-IGBT - 单路标准包装:30系列:-包装:管件IGBT 类型:PT电压 - 集射极击穿(最大值):1200V不同?Vge、Ic 时的?Vce(on):2.35V @ 15V,32A电流 - 集电极 (Ic)(最大值):75ACurrent - Collector Pulsed (Icm):230A功率 - 最大值:300WSwitching Energy:-输入类型:标准Gate Charge:89nCTd (on/off) A 25°C:-Test Condition:-反向恢复时间 (trr):-封装:TO-268-3,D³Pak(2 引线+接片),TO-268AA安装类型:表面贴装供应商器件封装:TO-268