IXSN35N120AU1参数：IGBT 70A 1200V SOT-227B
类别：半导体模块-IGBT标准包装：10系列：-IGBT 类型：PT配置：单一电压 - 集射极击穿（最大值）：1200V不同?Vge、Ic 时的?Vce(on)：4V @ 15V，35A电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：70A电流 - 集电极截止（最大值）：750µA不同?Vce 时的输入电容 (Cies)：3.9nF @ 25V功率 - 最大值：300W输入：标准NTC 热敏电阻：无安装类型：底座安装封装：SOT-227-4，miniBLOC供应商器件封装：SOT-227B