IXT-1-1N100S1参数：MOSFET N-CH 1000V 1.5A 8-SOIC
类别：分立半导体产品-FET - 单标准包装：94系列：-包装：管件FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物FET 功能：标准漏源极电压 (Vdss)：1000V（1kV）电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：1.5A不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：-不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：-不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：-不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：-功率 - 最大值：-安装类型：表面贴装封装：8-SOIC供应商器件封装：8-SOIC