IXTN5N250参数：MOSFET N-CH 2500V 5A SOT227B
类别：半导体模块-FET标准包装：10系列：-包装：管件FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物FET 功能：逻辑电平门漏源极电压 (Vdss)：2500V（2.5kV）电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：5A不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：8.8 欧姆 @ 2.5A， 10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：5V @ 1mA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：200nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：8560pF @ 25V功率 - 最大值：700W安装类型：底座安装封装：SOT-227-4，miniBLOC供应商器件封装：SOT-227B
