IXTT170N10P

IXTT170N10P
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IXTT170N10P参数：MOSFET N-CH 100V 170A TO-268

类别：分立半导体产品-FET - 单
标准包装：30
系列：Polar™
包装：管件
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：标准
漏源极电压 (Vdss)：100V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：170A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：9 毫欧 @ 500mA，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：198nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：6000pF @ 25V
功率 - 最大值：714W
安装类型：表面贴装
封装：TO-268-3，D³Pak（2 引线+接片），TO-268AA
供应商器件封装：TO-268