IXXX200N60C3

IXXX200N65B4
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IXXX200N65B4参数：IGBT 650V 370A 1150W PLUS247

类别：分立半导体产品-IGBT - 单路
标准包装：30
系列：*
包装：管件
IGBT 类型：PT
电压 - 集射极击穿（最大值）：650V
不同?Vge、Ic 时的?Vce(on)：1.7V @ 15V， 160A
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：370A
Current - Collector Pulsed (Icm)：1000A
功率 - 最大值：1150W
Switching Energy：4.4mJ （开）， 2.2mJ （关）
输入类型：标准
Gate Charge：553nC
Td (on/off) A 25°C：62ns/245ns
Test Condition：400V, 100A, 1 欧姆, 15V
反向恢复时间 (trr)：-
封装：TO-247-3
安装类型：通孔
供应商器件封装：PLUS247?-3