IXYB82N120C3H1参数：IGBT 1200V 160A 1040W PLUS264
类别：分立半导体产品-IGBT - 单路标准包装：25系列：XPT™, GenX3™包装：管件IGBT 类型：-电压 - 集射极击穿（最大值）：1200V不同?Vge、Ic 时的?Vce(on)：3.2V @ 15V，82A电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：160ACurrent - Collector Pulsed (Icm)：320A功率 - 最大值：1040WSwitching Energy：4.95mJ（开），2.78mJ（关）输入类型：标准Gate Charge：215nCTd (on/off) A 25°C：29ns/192nsTest Condition：-反向恢复时间 (trr)：420ns封装：TO-264-3，TO-264AA安装类型：通孔供应商器件封装：*