J111RLRAG参数：TRANS GP JFET N-CH 35V TO-92
类别：分立半导体产品-JFET（结点场效应产品变化通告： ProductDiscontinuation21/Jun/2007标准包装：2,000系列：-包装：带卷(TR)不同Vds(Vgs=0)时的电流-漏极(Idss)：20mA@15V漏源极电压(Vdss)：-漏极电流(Id)-最大值：-FET类型：N沟道电压-击穿(V(BR)GSS)：35V不同Id时的电压-截止（VGS关）：3V@1µA不同Vds时的输入电容(Ciss)：-电阻-RDS（开）：30欧姆安装类型：通孔封装：TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引线供应商器件封装：TO-92-3功率-最大值：350mW
