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KSD1616G

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KSD1616GBU
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KSD1616GBU参数：TRANSISTOR NPN 50V 1A TO-92

类别：分立半导体产品-晶体管(BJT) - 单路
PCNObsolescence： MultipleDevices14/Mar/2011
PCNDesign/Specification： CopperLeadFrame12/Oct/2007
标准包装：1,000
系列：-
包装：散装
晶体管类型：NPN
电流-集电极(Ic)（最大值）：1A
电压-集射极击穿（最大值）：50V
不同?Ib、Ic时的?Vce饱和值（最大值）：300mV@50mA，1A
电流-集电极截止（最大值）：-
不同?Ic、Vce?时的DC电流增益(hFE)（最小值）：200@100mA，2V
功率-最大值：750mW
频率-跃迁：160MHz
安装类型：通孔
封装：TO-226-3、TO-92-3标准主体
供应商器件封装：TO-92-3

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