KSK596PBWD参数：JFET N-CH 20V 10MA TO-92S
类别：分立半导体产品-JFET（结点场效应标准包装：1系列：-包装：散装不同 Vds (Vgs=0) 时的电流 - 漏极 (Idss)：100µA @ 5V漏源极电压 (Vdss)：-漏极电流 (Id) - 最大值：1mAFET 类型：N 沟道电压 - 击穿 (V(BR)GSS)：20V不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）：600mV @ 1µA不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：3.5pF @ 5V电阻 - RDS（开）：-安装类型：通孔封装：TO-226-3，TO-92-3 短体供应商器件封装：TO-92S功率 - 最大值：100mW
