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LMV358QDR

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LMV358QDRQ1 优势库存
TI
SOP8
2023+
3058
原装现货，价格优势
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LMV358QDRQ1
Texas Instrume..
8-SOIC
2023+
500
全新原装进口现货品质保证
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LMV358QDRG4Q1
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8-SOIC
2023+
500
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LMV358QDR
TexasInstrumen..
SOIC-8
2023+
5770
全新进口原装,品质有保证
LMV358QDR
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8-SOIC(0.154..
2023+
1250
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2023+
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LMV358QDRG4
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8-SOIC（3.9mm）
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6000
品质保证,价格优惠
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SOIC-8
2023+
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8-SOIC（3.9mm）
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SOIC-8
2023+
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8-SOIC
2023+
944
全新原装正品 原厂支持供货..
相关型号： LMV358QDGKRG4 LMV358QDGKR LMV358QDG4 LMV358QDE4 LMV358QDDURG4 LMV358QDDURE4

LMV358QDR
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LMV358QDR参数：IC OPAMP GP R-R 1MHZ DUAL 8SOIC

类别：集成电路 (IC)-LINEAR - AMPLIFIERS - INSTRUMENTATION, OP AMPS, BUFFER AMPS
设计资源： CreateyourpowerdesignnowwithTI’sWEBENCH?Designer
标准包装：2,500
系列：-
包装：带卷(TR)
放大器类型：通用
电路数：2
输出类型：满摆幅
压摆率：1V/µs
增益带宽积：1MHz
-3db带宽：-
电流-输入偏置：15nA
电压-输入失调：1.7mV
电流-电源：210µA
电流-输出/通道：160mA
电压-电源，单/双(±)：2.7V~5.5V，±1.35V~2.75V
工作温度：-40°C~125°C
安装类型：表面贴装
封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm宽）
供应商器件封装：8-SOIC

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