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MBT3904DW1T1/MA

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相关型号： MBT3904DW1T1 MBT35200MT2G MBT35200MT1G MBT2222ADW1T1G MBS-TLR316 MBS-TLR

MBT3904DW1T1
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MBT3904DW1T1参数：TRANS DUAL GP 200MA 40V SOT363

类别：分立半导体产品-晶体管(BJT) - 阵列
产品变化通告： EDSRatingUpdateStandardizedFormat15/June/2007 WireChange08/Jun/2009
标准包装：10
系列：-
包装：剪切带(CT)
晶体管类型：2NPN（双）
电流-集电极(Ic)（最大值）：200mA
电压-集射极击穿（最大值）：40V
不同?Ib、Ic时的?Vce饱和值（最大值）：300mV@5mA，50mA
电流-集电极截止（最大值）：-
不同?Ic、Vce?时的DC电流增益(hFE)（最小值）：100@10mA，1V
功率-最大值：150mW
频率-跃迁：300MHz
安装类型：表面贴装
封装：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供应商器件封装：SOT-363

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