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MBT3946DW1T1

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MBT3946DW1T1G 优势库存
ON
sc70-6
2023+
6871
原装现货，价格优势
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MBT3946DW1T1
ON
SOT363
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MBT3946DW1T1G
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SMD
2023+
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MBT3946DW1T1G
ONSemiconductor
SC-70-6，SC-8..
2023+
6000
品质保证,价格优惠
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MBT3946DW1T1
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MBT3946DW1T1
ONSemiconducto..
6-TSSOP,SC-8..
2023+
1250
全新进口原装现货品质保证
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MBT3946DW1T1G
ONSemiconducto..
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2023+
75350
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MBT3946DW1T1(46)
ON
SOT-363
2023+
49278
工厂配单，价格优势
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MBT3946DW1T1G
原装正品
原厂封装
2023+
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MBT3946DW1T1G
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50,000
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【【【原装绝对有货】】】
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只做原装正品现货
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SOT-363
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原装现货
相关型号： MBT3906DW1T1G MBT3906DW1T1 MBT3904DW2T1G MBT3904DW2T1 MBT3904DW1T3G MBT3904DW1T1G

MBT3946DW1T1
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MBT3946DW1T1参数：TRANS DUAL GP 200MA 40V SOT363

类别：分立半导体产品-晶体管(BJT) - 阵列
产品变化通告： EDSRatingUpdateStandardizedFormat15/June/2007 WireChange08/Jun/2009 ProductObsolescence21/Jan/2010
标准包装：10
系列：-
包装：剪切带(CT)
晶体管类型：NPN，PNP
电流-集电极(Ic)（最大值）：200mA
电压-集射极击穿（最大值）：40V
不同?Ib、Ic时的?Vce饱和值（最大值）：300mV@5mA，50mA/400mV@5mA，50mA
电流-集电极截止（最大值）：-
不同?Ic、Vce?时的DC电流增益(hFE)（最小值）：100@10mA，1V
功率-最大值：150mW
频率-跃迁：300MHz，250MHz
安装类型：表面贴装
封装：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供应商器件封装：SOT-363

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